• 파워 디바이스의 애플리케이션 적용 범위

  
  

서울-로옴(ROHM)이 기지국·데이터 센터를 비롯한 산업기기 및 각종 사물 인터넷(IoT) 통신기기의 전원 회로용으로 업계 최고 수준인 8V까지 게이트 내압(게이트 - 소스 정격 전압)[1]을 높인 150V 내압 GaN HEMT[2] ‘GNE10xxTB 시리즈(GNE1040TB)’의 양산 체제를 확립했다.

보통 GaN 디바이스는 저 ON 저항과 고속 스위칭 성능이 뛰어나, 각종 전원의 저소비 전력화 및 주변 부품의 소형화에 도움을 줄 디바이스로써 활용이 기대되고 있지만, 게이트 내압이 낮아 스위칭 시 디바이스 신뢰성에 대한 과제가 있었다.

신제품은 이러한 과제에 대응해 독자적 구조를 통해 게이트 - 소스 정격 전압을 6V에서 8V까지 높이는 데 성공했다. 이에 따라 스위칭 시 6V를 넘는 오버슈트 전압[3]이 발생하더라도 디바이스가 열화하지 않으므로 전원 회로의 설계 마진 향상 및 고신뢰화에 기여한다. 또 대전류 대응 및 방열성이 우수하고 범용성이 높은 패키지로 제품화해 실장 공정에서 핸들링이 쉽다.

신제품은 올 3월 양산 체제를 확립했으며 생산 거점은 전공정 로옴 하마마츠(하마마츠), 후공정 로옴(교토)이다. 로옴은 저전력·소형화에 기여하는 GaN 디바이스를 ‘EcoGaN™’으로 라인업하고, 디바이스 성능을 더 높이기 위해 노력하고 있다.

로옴은 앞으로 ‘Nano Pulse Control™’[4]을 비롯해 아날로그 전원 기술을 활용한 제어 IC 및 이런 기술을 탑재한 모듈 개발을 추진해 GaN 디바이스가 지닌 성능을 최대화하는 파워 솔루션을 제공, 지속 가능한 사회에 이바지해나갈 것이다.

◇개발 배경

최근 IoT 기기가 늘면서 수요가 확대되는 서버 시스템 등에서 전력 변환 효율 향상 및 장치 소형화가 중요한 사회적 과제 가운데 하나로 떠올라 파워 디바이스에 진화가 요구되고 있다.

로옴은 업계를 이끄는 SiC 디바이스 및 특징 있는 각종 실리콘 디바이스의 개발 및 양산을 추진하면서 각종 애플리케이션에 대해 더 폭넓은 파워 솔루션 제공이 가능한 중내압 영역에서 고주파 동작에 우수한 GaN 디바이스의 개발도 추진해 왔다.

로옴세미컨덕터코리아 개요

로옴은 LSI에서 트랜지스터, 다이오드, LED, 저항기, 모듈에 이르기까지 토털 솔루션을 제공하는 종합 반도체 제조 업체다. 시장 요구에 앞서가는 고부가가치 신제품 및 신기술 개발, 생산·판매 체제 강화를 추진해 모든 제품의 고기능화 및 소형화에 이바지하고 있다. 창업 이래 ‘품질 제일’을 기본으로 원재료에서 조립 공정에 이르기까지 일관된 품질 관리를 통해 고품질, 신뢰성, 안정 공급을 실현하고 있다. 최근에는 높은 품질이 요구되는 산업 기기 및 차재 시장을 주력 분야로 해 로옴의 우수한 아날로그 파워 기술로 더 높은 도약을 지향하고 있다.

웹사이트: http://www.rohm.co.kr